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电子芯片冷热冲击测试全流程技术:基于两箱式试验箱的实现与优化

更新时间:2025-09-25      浏览次数:66

随着电子芯片向消费电子、汽车电子、航空航天等领域深度渗透,其面临的温度环境愈发极限 —— 车规芯片需承受发动机舱 - 40℃~125℃的骤变,航空航天芯片更需应对 - 55℃~150℃的严苛工况。温度骤变引发的材料热应力,是导致芯片焊点开裂、封装分层、电气性能漂移的核心诱因,据行业数据统计,30% 以上的芯片失效源于温度应力相关缺陷。两箱式冷热冲击试验箱凭借 “双腔独立控温 + 极速温变" 的技术特性,成为模拟极限温度环境、提前暴露芯片潜在缺陷的关键设备,其技术性能直接决定芯片可靠性测试的精准度与有效性。

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一、两箱式冷热冲击试验箱的核心技术原理
(一)双腔独立控温架构:极限温差的实现基础
设备采用高温箱与低温箱物理分隔设计,通过独立控温系统构建稳定温差环境。高温箱以镍铬加热管或远红外加热器为核心,搭配 50-100mm 厚硅酸铝棉保温层,结合 PID 闭环控制技术,实现 - 20℃~200℃的宽范围控温,从常温升至 150℃的升温速率≤30 分钟,温度稳定性控制在 ±1℃以内,确保高温环境的精准恒定。
低温箱则依赖复叠式制冷系统:高温循环回路采用 R404A 制冷剂(蒸发温度 - 30℃~-10℃),负责快速降低初始热负荷;低温循环回路使用 R23 制冷剂(蒸发温度≤-80℃),实现深冷环境;针对量子芯片等超低温测试需求,可叠加液氮喷射辅助制冷,通过强制对流技术进一步缩短降温时间,满足 - 100℃以下的极限低温要求。
(二)极速温度转换技术:模拟真实温度冲击
温度冲击的核心是实现样品在高低温环境间的无缓冲切换,这依赖三大关键技术协同:
  1. 双循环协同制冷:高温循环先将样品热负荷降至 - 10℃~0℃的过渡温区,再由低温循环接力降温至目标值,使 100℃至 - 60℃的温度转换时间缩至分钟级,较传统单循环设备效率提升 60%;

  1. 高精度样品转移系统:主流采用气缸驱动吊篮式或伺服电机导轨式结构,转移时间≤5 秒,针对 BGA 等精密封装芯片,可升级为≤3 秒的高速转移模块;通道门配备双重硅胶密封条,开启时间≤3 秒,结合位移传感器实时校准,定位精度达 ±0.5mm,有效减少温度串扰;

  1. 动态热负荷补偿:通过 PT100 铂电阻传感器(精度 ±0.1℃)实时监测箱内温度,控制系统根据温差动态调节压缩机转速与电子膨胀阀开度,将温度波动控制在 ±1℃以内,较传统设备的温度控制精度提升 67%。

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二、电子芯片冷热冲击测试的技术实施流程
(一)测试参数的场景化匹配
需根据芯片应用领域制定差异化测试参数,确保模拟真实使用环境:
  • 消费电子芯片(如手机处理器):遵循 JEDEC JESD22-A104 标准,采用 - 40℃~85℃循环,循环次数 50-100 次(量产筛选)或 500 次(可靠性验证);

  • 车规芯片(如车载雷达芯片):符合 AEC-Q100 标准,温度范围扩展至 - 40℃~125℃,循环次数≥1000 次,以覆盖汽车全生命周期的温度应力;

  • 航空航天芯片:参照 MIL-STD-883 标准,温度区间达 - 55℃~150℃,驻留时间延长至 60 分钟,确保芯片在太空极限环境下的稳定性。

所有场景中,驻留时间均需满足芯片热平衡要求(温度变化率≤1℃/min),通常设置为 30 分钟,避免因温度未达稳态导致测试结果偏差。
(二)全流程技术管控要点
  1. 测试前预处理与设备校准:芯片需在 25℃±3℃、50%±10% RH 的标准环境中静置 24 小时,消除前期环境干扰;采用精度 ±0.1℃的铂电阻温度计进行 9 点校准(箱内均匀分布),确保温度均匀性≤±2℃,避免局部温差影响测试结果;

  1. 样品固定与信号连接:使用聚四氟乙烯或陶瓷材质夹具(热阻≤1.5K/W),定位精度 ±5μm,确保芯片引脚与测试探针精准对接;夹具设计需避开芯片散热通道,防止机械应力与热阻干扰;

  1. 测试中监测与失效检测:通过热电偶矩阵(芯片表面 + 内部封装)实时记录温度响应,当芯片结温与环境温差≤2℃时启动计时;测试后采用 30 倍光学显微镜检测≤5μm 的焊点微裂纹,通过 Keysight B1500 半导体参数分析仪测量漏电流(Ioff≤1nA@125℃),结合泰瑞达 J750 等 ATE 系统实现 99.9% 的功能覆盖率验证,全面评估芯片可靠性。

  2. 三、测试中的典型技术问题与解决方案
  3. (一)温度串扰:双腔切换的核心挑战
  4. 两箱切换时,通道开启易导致高低温空气交换,引发箱内温度波动。解决方案包括:①低温箱采用真空隔热层(隔热系数≤0.03W/(m・K)),降低热传导;②设计错位式密封门,将开启间隙控制在≤0.5mm,减少空气对流;③样品转移后启动 1.5 倍功率补偿模式,15 分钟内恢复目标温度,可将串扰温差从 ±5℃降至 ±1℃,满足精密测试需求。
  5. (二)热滞后效应:样品与环境的温度同步难题
  6. 芯片封装材料(如环氧树脂)的热传导延迟,导致样品温度与箱内环境温度存在响应差。需在芯片表面与内部封装分别粘贴热电偶,实时监测结温变化,待结温与环境温差≤2℃时再启动驻留计时。某车规芯片测试案例中,该方法使驻留时间设置精度提升 40%,有效避免因热滞后导致的测试不充分问题。

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